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倒裝芯片通常是功率芯片，主要用來封裝大功率LED(>1W)，正裝芯片通常是用來進(jìn)行傳統(tǒng)的小功率φ3～φ10的封裝。因此，功率不同導(dǎo)致二者在封裝及應(yīng)用的方式均有較大的差別，主要區(qū)別有如下幾點：

一、 正裝芯片與倒裝芯片的區(qū)別：

二、正裝芯片與倒裝芯片的結(jié)構(gòu)

正裝芯片結(jié)構(gòu)

正裝芯片是最早出現(xiàn)的芯片結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中從上至下依次為：電極，P型半導(dǎo)體層,發(fā)光層，N型半導(dǎo)體層和襯底，該結(jié)構(gòu)中PN結(jié)處產(chǎn)生的熱量需要經(jīng)過藍(lán)寶石襯底才能傳導(dǎo)到熱沉，藍(lán)寶石襯底較差的導(dǎo)熱性能導(dǎo)致該結(jié)構(gòu)導(dǎo)熱性能較差，從而降低了芯片的發(fā)光效率和可靠性。正裝芯片結(jié)構(gòu)中p電極和n電極均位于芯片出光面，電極的遮擋會影響芯片的出光，導(dǎo)致芯片發(fā)光效率較低;正負(fù)電極位于芯片同一側(cè)也容易出現(xiàn)電流擁擠現(xiàn)象，降低發(fā)光效率;此外，溫度和濕度等因素可能導(dǎo)致電極金屬遷移，隨著芯片尺寸縮小，正負(fù)電極間距減小，電極遷移可能導(dǎo)致短路問題。

倒裝芯片結(jié)構(gòu)：

倒裝芯片結(jié)構(gòu)從上至下依次為藍(lán)寶石襯底、N型半導(dǎo)體層,發(fā)光層，P型半導(dǎo)體層和電極，與正裝結(jié)構(gòu)相比，該結(jié)構(gòu)中PN結(jié)處產(chǎn)生的熱量不經(jīng)過襯底即可直接傳導(dǎo)到熱沉，因而散熱性能良好，芯片發(fā)光效率和可靠性較高;倒裝結(jié)構(gòu)中，p電極和n電極均處于底面，避免了對出射光的遮擋，芯片出光效率較高;此外，倒裝芯片電極之間距離較遠(yuǎn)，可減小電極金屬遷移導(dǎo)致的短路風(fēng)險。

三、正裝芯片與倒裝芯片封裝制程區(qū)別：

(1).固晶：正裝小芯片采取在直插式支架反射杯內(nèi)點上絕緣導(dǎo)熱膠來固定芯片，而倒裝芯片多采用導(dǎo)熱系數(shù)更高的銀膠或共晶的工藝與支架基座相連，且本身支架基座通常為導(dǎo)熱系數(shù)較高的銅材；

(2).焊線：正裝小芯片通常封裝后驅(qū)動電流較小且發(fā)熱量也相對較小，因此采用正負(fù)電極各自焊接一根φ0.8～φ0.9mil金線與支架正負(fù)極相連即可；而倒裝功率芯片驅(qū)動電流一般在350mA以上，芯片尺寸較大，因此為了保證電流注入芯片過程中的均勻性及穩(wěn)定性，通常在芯片正負(fù)級與支架正負(fù)極間各自焊接兩根φ1.0～φ1.25mil的金線；

(3).熒光粉選擇：正裝小芯片一般驅(qū)動電流在20mA左右，而倒裝功率芯片一般在350mA左右，因此二者在使用過程中各自的發(fā)熱量相差甚大，而現(xiàn)在市場通用的熒光粉主要為YAG， YAG自身耐高溫為127℃左右，而芯片點亮后，結(jié)溫(Tj)會遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于此溫度，因此在散熱處理不好的情況下，熒光粉長時間老化衰減嚴(yán)重，因此在倒裝芯片封裝過程中建議使用耐高溫性能更好的硅酸鹽熒光粉；

(4).膠體的選擇：正裝小芯片發(fā)熱量較小，因此傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂就可以滿足封裝的需要；而倒裝功率芯片發(fā)熱量較大，需要采用硅膠來進(jìn)行封裝；硅膠的選擇過程中為了匹配藍(lán)寶石襯底的折射率，建議選擇折射率較高的硅膠(>1.51)，防止折射率較低導(dǎo)致全反射臨界角增大而使大部分的光在封裝膠體內(nèi)部被全反射而損失掉；同時，硅膠彈性較大，與環(huán)氧樹脂相比熱應(yīng)力比環(huán)氧樹脂小很多，在使用過程中可以對芯片及金線起到良好的保護(hù)作用，有利于提高整個產(chǎn)品的可靠性；

(5).點膠：正裝小芯片的封裝通常采用傳統(tǒng)的點滿整個反射杯覆蓋芯片的方式來封裝，而倒裝功率芯片封裝過程中，由于多采用平頭支架，因此為了保證整個熒光粉涂敷的均勻性提高出光率而建議采用保型封裝(Conformal-Coating)的工藝；示意圖如下：

(6).灌膠成型：正裝芯片通常采用在模粒中先灌滿環(huán)氧樹脂然后將支架插入高溫固化的方式；而倒裝功率芯片則需要采用從透鏡其中一個進(jìn)氣孔中慢慢灌入硅膠的方式來填充，填充的過程中應(yīng)提高操作避免烘烤后出現(xiàn)氣泡和裂紋、分層等現(xiàn)象影響成品率；

(7).散熱設(shè)計：正裝小芯片通常無額外的散熱設(shè)計；而倒裝功率芯片通常需要在支架下加散熱基板，特殊情況下在散熱基板后添加風(fēng)扇等方式來散熱；在焊接支架到鋁基板的過程中 建議使用功率<30W的恒溫電烙鐵溫度低于230℃，停留時間<3S來焊接；

(8).封裝后成品示意圖：

LED芯片封裝技術(shù)已經(jīng)形成幾個流派，不同的技術(shù)對應(yīng)不同的應(yīng)用，都有其獨特之處。可以發(fā)現(xiàn)，倒裝芯片發(fā)光效率高、散熱性好、可靠性高、量產(chǎn)能力強(qiáng)，更適用于小間距和微間距顯示產(chǎn)品。